#1 |
数量:4795 |
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最小起订量:2500 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1756 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2499 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 16.4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4.4 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 100nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5025pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
associated | 80-4-5 |
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